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  • 型号: IXFH20N60Q
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH20N60Q由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH20N60Q价格参考。IXYSIXFH20N60Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFH20N60Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH20N60Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFH20N60Q是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率场效应晶体管(FET)中的单管类型。其主要参数包括20A的漏极电流和600V的漏源击穿电压,适合用于中高功率的电力电子设备中。

该器件广泛应用于以下场景:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于高效能、高频开关操作。

2. 电机驱动:用于工业自动化、伺服驱动器、变频器等电机控制电路中,提供快速响应和良好的导通性能。

3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,IXFH20N60Q的高耐压和大电流能力适合用于将直流电转换为交流电的电路中。

4. 焊接设备:在电焊机等高功率设备中,用于控制大电流的通断。

5. 工业控制与自动化:如PLC控制模块、工业电源模块等,适用于需要稳定可靠功率控制的场合。

该MOSFET采用TO-247封装,具有良好的散热性能,适用于需要高可靠性和高效率的工业级应用。其快速开关特性和低导通电阻也有助于提高系统效率并减少发热。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFH20N60Q

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

90nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

350 毫欧 @ 10A,10V

供应商器件封装

TO-247AD (IXFH)

功率-最大值

300W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

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