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  • 型号: IPB06N03LA G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB06N03LA G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB06N03LA G价格参考。InfineonIPB06N03LA G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPB06N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPB06N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAKMOSFET N-CH 25V 50A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

50 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB06N03LA GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPB06N03LA_Rev1.6_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429d2454204

产品型号

IPB06N03LA G

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

83 W

Pd-功率耗散

83 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

30 ns

下降时间

4.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 40µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2653pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.9 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO263-3

其它名称

IPB06N03LAGXT
SP000068850

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

83W

包装

带卷 (TR)

商标

Infineon Technologies

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

9.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

正向跨导-最小值

58 S / 29 S

汲极/源极击穿电压

25 V

漏极连续电流

50 A

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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