ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFS4227TRLPBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFS4227TRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4227TRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4227TRLPBF价格参考¥8.99-¥9.57。International RectifierIRFS4227TRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 62A(Tc) 330W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS4227TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS4227TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFS4227TRLPBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别中的单通道器件。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):IRFS4227TRLPBF 常用于开关电源的设计中,作为功率开关来实现高效的 DC-DC 或 AC-DC 转换。 - 电压调节模块 (VRM):适用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备的电压调节系统,提供稳定的输出电压。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC) 驱动:该 MOSFET 可用于驱动小型到中型的无刷直流电机,广泛应用于风扇、泵和电动工具等场景。 - 步进电机控制:在需要精确控制的步进电机应用中,如打印机、扫描仪和工业自动化设备中发挥重要作用。 3. 逆变器与变频器 - 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,该器件可用于将直流电转换为交流电,以供家庭或电网使用。 - 变频空调:在空调压缩机的变频控制中,IRFS4227TRLPBF 能够实现高效的能量转换和温度调节。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:例如车窗升降器、座椅调节器和雨刷控制系统中,该 MOSFET 提供可靠的开关功能。 - LED 照明驱动:用于汽车 LED 大灯或尾灯的驱动电路中,确保亮度稳定且节能。 5. 消费电子产品 - 充电器和适配器:在手机、平板电脑和其他便携式设备的快速充电器中,作为功率开关以提高效率。 - 音频放大器:用于低失真音频信号的放大,特别是在便携式音响设备中。 6. 工业应用 - PLC 和继电器控制:在可编程逻辑控制器 (PLC) 和继电器驱动电路中,提供快速响应和高可靠性。 - 焊接设备:在一些小型焊接机中,该 MOSFET 可用于电流控制和能量传递。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):降低功耗,提升系统效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 良好的热性能:有助于提高系统的稳定性和寿命。 总之,IRFS4227TRLPBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAKMOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 62 A |
| Id-连续漏极电流 | 62 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4227TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS4227TRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 70 nC |
| Qg-栅极电荷 | 70 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 46A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS4227TRLPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 330W |
| 功率耗散 | 330 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 26 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极电荷Qg | 70 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 49 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 62 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 62A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfs4227pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfs4227pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |