Datasheet下载- 型号： RZF030P01TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RZF030P01TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RZF030P01TL价格参考￥1.67-￥2.57。ROHM SemiconductorRZF030P01TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RZF030P01TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RZF030P01TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RZF030P01TL是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品、电源管理电路和负载开关等。由于具备低导通电阻（RDS(on)）和高效率特性，该器件特别适用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，有助于降低功耗、延长电池续航时间。 RZF030P01TL常用于DC-DC转换器中的同步整流或反向电流保护电路，提升电源转换效率。此外，它也适合用作高侧或低侧开关，控制电源通断，广泛应用于主板、电源模块及小型电机驱动电路中。其小型化封装（如TSLP/DFN）有利于节省PCB空间，满足现代电子产品轻薄化需求。 在工业控制和消费类电子中，该MOSFET可用于LED驱动、继电器驱动和信号切换等场景，提供稳定可靠的开关性能。同时，良好的热稳定性和抗冲击能力使其在温度变化较大的环境中仍能保持正常工作。 综上所述，RZF030P01TL凭借其高效、低耗、小尺寸等优势，主要应用于便携设备电源管理、DC-DC转换、负载开关及各类中低功率开关电路中，是现代电子系统中重要的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, 1.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RZF030P01TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RZF030P01TL |
| Pd-PowerDissipation | 0.8 W |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1860pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TUMT3 |
| 其它名称 | RZF030P01TLDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 210 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | TUMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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