Datasheet下载- 型号： IRFR430ATRLPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR430ATRLPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR430ATRLPBF价格参考。VishayIRFR430ATRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR430ATRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR430ATRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFR430ATRLPBF 是一款 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： 该 MOSFET 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和开关电源中的高频开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，IRFR430ATRLPBF 可用作驱动开关，支持高效启动、调速和制动功能。适合家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机控制。 3. 电池管理： 用于电池充电电路或保护电路中，作为开关元件控制电流流向，确保电池安全充放电。例如，在锂电池保护板或 UPS 系统中起到关键作用。 4. 负载切换： 在需要动态开启或关闭负载的应用中，如汽车电子、LED 照明系统等，该器件可以实现快速且稳定的负载切换，同时降低功耗。 5. 逆变器与太阳能微逆变器： 该 MOSFET 可用于光伏逆变器中的功率转换级，帮助将直流电转换为交流电，以提高太阳能发电系统的效率。 6. 脉宽调制 (PWM) 控制： 在音频放大器或 LED 驱动器中使用 PWM 技术时，IRFR430ATRLPBF 能够提供高精度的电流调节能力，保证输出稳定性和可靠性。 7. 通信设备： 在基站、路由器或其他通信设备中，这款 MOSFET 可用于信号处理模块中的功率管理部分，保障设备运行效率和热性能。 总之，IRFR430ATRLPBF 凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式，在消费电子、工业控制及汽车电子等领域具有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5A DPAKMOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR430ATRLPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR430ATRLPBFIRFR430ATRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.7 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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