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  • 型号: FDS86141
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDS86141产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS86141由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS86141价格参考。Fairchild SemiconductorFDS86141封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC。您可以下载FDS86141参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS86141 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDS86141 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,因此适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:FDS86141 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中的功率开关,提供高效的能量转换。
   - 开关电源 (SMPS):在开关电源中作为主开关管,实现高频开关操作,降低能量损耗。
   - 负载开关:用于便携式设备(如手机、平板电脑等)的负载开关,控制电路的开启与关闭。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等场景中的直流电机驱动,提供精确的电流控制。
   - H 桥电路:用于双向电机控制,支持正转和反转功能。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:在锂电池或镍氢电池组中,用作充放电保护开关,防止过流、短路或过充。
   - 电量监测:通过低导通电阻特性,减少功耗并提高电池使用效率。

 4. 消费电子产品
   - 音频设备:在音响系统或耳机放大器中,作为功率输出级开关。
   - 便携式设备:如智能手表、蓝牙音箱等,利用其低功耗特性延长设备续航时间。

 5. 工业应用
   - 信号隔离:在工业控制系统中,用于隔离高低电压信号,确保系统稳定运行。
   - 继电器替代:在需要快速响应的场景中,替代传统机械继电器,实现更高效的开关操作。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器等低功率电机驱动。
   - LED 照明:用于汽车内部或外部 LED 灯的驱动和调光。

FDS86141 的低导通电阻(典型值为 7.5mΩ @ Vgs=10V)和小封装(SOT-23 或 SOT-223),使其特别适合对空间和效率要求较高的应用场合。同时,其耐压能力(通常为 30V 或 40V)也能够满足大多数低压系统的需要。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOICMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7 A

Id-连续漏极电流

7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS86141PowerTrench®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDS86141

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

Qg-GateCharge

6.7 nC

Qg-栅极电荷

6.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

23 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

23 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.1 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

934pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

23 毫欧 @ 7A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

FDS86141CT

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

19 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Ta)

系列

FDS86141

配置

Single

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