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FDS86141产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS86141由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS86141价格参考。Fairchild SemiconductorFDS86141封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC。您可以下载FDS86141参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS86141 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS86141 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,因此适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:FDS86141 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中的功率开关,提供高效的能量转换。 - 开关电源 (SMPS):在开关电源中作为主开关管,实现高频开关操作,降低能量损耗。 - 负载开关:用于便携式设备(如手机、平板电脑等)的负载开关,控制电路的开启与关闭。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等场景中的直流电机驱动,提供精确的电流控制。 - H 桥电路:用于双向电机控制,支持正转和反转功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:在锂电池或镍氢电池组中,用作充放电保护开关,防止过流、短路或过充。 - 电量监测:通过低导通电阻特性,减少功耗并提高电池使用效率。 4. 消费电子产品 - 音频设备:在音响系统或耳机放大器中,作为功率输出级开关。 - 便携式设备:如智能手表、蓝牙音箱等,利用其低功耗特性延长设备续航时间。 5. 工业应用 - 信号隔离:在工业控制系统中,用于隔离高低电压信号,确保系统稳定运行。 - 继电器替代:在需要快速响应的场景中,替代传统机械继电器,实现更高效的开关操作。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器等低功率电机驱动。 - LED 照明:用于汽车内部或外部 LED 灯的驱动和调光。 FDS86141 的低导通电阻(典型值为 7.5mΩ @ Vgs=10V)和小封装(SOT-23 或 SOT-223),使其特别适合对空间和效率要求较高的应用场合。同时,其耐压能力(通常为 30V 或 40V)也能够满足大多数低压系统的需要。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7A 8-SOICMOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS86141PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS86141 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| Qg-GateCharge | 6.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 934pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 7A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS86141CT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Ta) |
| 系列 | FDS86141 |
| 配置 | Single |