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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6331-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6331-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH6331-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH6331-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH6331-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MCH6331-TL-H是一款单N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效、低功耗开关控制的电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中的DC-DC转换器、负载开关和电源切换电路,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高能效。 2. 电池供电设备:由于其低功耗特性,适合用于电池管理系统(BMS)中,实现对充放电路径的高效控制。 3. 电机驱动与继电器驱动:可用于小型电机、电磁阀或继电器的开关控制,提供快速响应和稳定性能。 4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块和工业通信设备中作为信号开关或功率控制元件。 5. 汽车电子:适用于车载电子系统,如车灯控制、电动窗驱动、车载充电器等场景,满足汽车级可靠性要求。 该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性,适用于多种中低功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 3.5A MCPH6MOSFET SWITCHING DEVICE |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH6331-TL-H- |
数据手册 | |
产品型号 | MCH6331-TL-H |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 98 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 98 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 98 毫欧 @ 1.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-MCPH |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 98 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | MCPH-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 3.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |
系列 | MCH6331 |
配置 | Single |