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Datasheet下载- 型号： IRFL024ZTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
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IRFL024ZTRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL024ZTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL024ZTRPBF价格参考￥1.18-￥1.39。International RectifierIRFL024ZTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223。您可以下载IRFL024ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFL024ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFL024ZTRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。该型号的应用场景主要包括以下方面： 1. 开关电源（SMPS）：IRFL024ZTRPBF 适用于各种开关电源电路中，如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效降低功耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，这款 MOSFET 可用作功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载开关：由于其低导通电阻和快速开关能力，该器件适合用于需要高效能负载切换的场合，例如便携式电子设备中的电池管理。 4. 逆变器：在小型逆变器应用中，IRFL024ZTRPBF 能够作为关键的功率开关元件，将直流电转换为交流电，支持家用电器或其他设备的供电需求。 5. LED 驱动：对于高亮度 LED 照明系统，此 MOSFET 可用于恒流驱动电路，确保 LED 在稳定电流下工作，延长使用寿命并保持亮度一致。 6. 汽车电子：尽管具体耐受电压可能限制了某些高端应用，但该产品仍可用于汽车内的辅助系统，比如电动车窗、雨刷控制系统等低至中等功率应用场景。 7. 消费类电子产品保护电路：例如过流保护、短路保护等功能模块中，利用其快速响应特性和较低的热损耗特点来增强产品的安全性与可靠性。 总之，IRFL024ZTRPBF 凭借其优异的电气性能，在众多需要高效功率转换和控制的领域都有着广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFL024ZTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFL024ZTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
| Pd-功率耗散 | 2.8 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 57.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 57.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57.5 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | IRFL024ZTRPBF-ND |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 2.8 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 57.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 栅极电荷Qg | 14 nC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 6.2 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 5.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.1A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfl024z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfl024z.spi |
| 配置 | Single |
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