ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF540ZSPBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF540ZSPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF540ZSPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF540ZSPBF价格参考。International RectifierIRF540ZSPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) D2PAK。您可以下载IRF540ZSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF540ZSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF540ZSPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。其应用场景广泛,适用于多种电力电子设备和系统,具体如下: 1. 电源管理 - 用于开关电源(SMPS)中的功率转换电路。 - 在DC-DC转换器中作为开关元件,实现高效的电压调节。 - 适合作为负载开关,控制电路的通断。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供高效的电流控制。 - 在H桥电路中,用于双向电机控制。 3. 逆变器 - 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中,用于将直流电转换为交流电。 - 提供高效率和低损耗的开关性能。 4. 电池管理系统(BMS) - 用于保护电池组免受过流、短路等故障的影响。 - 实现电池充放电的精确控制。 5. 消费电子产品 - 应用于家用电器(如风扇、吸尘器等)的功率控制模块。 - 用于音频功放电路中的开关或保护功能。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中,用作信号放大或功率驱动元件。 - 适用于固态继电器(SSR)设计,替代传统机械继电器。 7. 汽车电子 - 用于车载电子设备(如车窗升降器、座椅调节器等)的驱动电路。 - 在LED照明系统中,作为调光或恒流控制的关键元件。 8. 其他应用 - 用于脉宽调制(PWM)电路,实现精确的功率控制。 - 在通信设备中,用于射频功率放大器的偏置控制。 IRF540ZSPBF具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(Vds)和快速开关速度的特点,适合需要高效能、低损耗的场景。其封装形式(如TO-220)便于散热设计,进一步扩展了其应用范围。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 36 A |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF540ZSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF540ZSPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 92 W |
| Pd-功率耗散 | 92 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26.5 毫欧 @ 22A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF540ZSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 92W |
| 功率耗散 | 92 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 26.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 42 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 36 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 36A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf540zs_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf540zs_l.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |