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产品简介:
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MTB75N05HDT4 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提升整体能效。 2. 电机控制:在直流电机驱动或步进电机控制系统中作为功率开关使用,具备快速开关能力和良好热稳定性。 3. 负载开关与继电器替代:用于工业自动化设备中替代传统机械继电器,实现无触点开关控制,提高系统可靠性和寿命。 4. 电池供电设备:常见于便携式电子产品如笔记本电脑、电动工具及储能系统中,支持高效电能管理并减少功耗。 5. 汽车电子:适用于车载充电系统、车身控制模块等场景,符合汽车行业对元件高稳定性和耐环境能力的要求。 该器件采用TO-252封装,便于散热设计,适合中高功率应用。总体而言,MTB75N05HDT4适用于多种需要高效、可靠功率控制的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MTB75N05HDT4 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.5 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | MTB75N05HDT4OS |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |