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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB7N65CTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB7N65CTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB7N65CTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB7N65CTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB7N65CTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB7N65CTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括以下方面: 1. 开关电源(SMPS) FQB7N65CTM 的高电压耐受能力(650V 额定电压)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节,尤其是在需要高压驱动的工业电机或家用电器电机中。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功耗并提高效率。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,FQB7N65CTM 可作为关键的开关元件,实现直流到交流的转换,同时保持高效能和稳定性。 4. 负载切换 由于其快速开关特性和高电流处理能力,该器件适用于各种负载切换应用,例如汽车电子系统中的电池管理、LED 照明驱动以及消费电子设备中的电源管理。 5. 保护电路 FQB7N65CTM 可用作过流保护或短路保护电路中的开关元件,确保系统在异常情况下能够迅速切断电流,从而保护其他敏感组件。 6. 电动车与电动工具 在电动车和电动工具的控制器中,这款 MOSFET 可以提供高效的功率转换和精确的电流控制,支持更高的功率密度和更长的运行时间。 总之,FQB7N65CTM 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高压、高频和高效能的各类电子设备中,特别适合对功率管理有较高要求的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB7N65CTM |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1245pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 欧姆 @ 3.5A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FQB7N65CTMDKR |
功率-最大值 | 173W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |