Datasheet下载- 型号： TJ60S04M3L(T6L1,NQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TJ60S04M3L(T6L1,NQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TJ60S04M3L(T6L1,NQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TJ60S04M3L(T6L1,NQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TJ60S04M3L(T6L1,NQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TJ60S04M3L(T6L1,NQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的型号TJ60S04M3L(T6L1,NQ是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率晶体管，常用于高效率、高频率的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率转换场景。 主要应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、智能手机等设备的电源适配器中，实现高效的AC-DC或DC-DC转换。 2. 电机驱动电路：在电动工具、家电及工业自动化设备中，作为开关元件控制电机的运行状态。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统中，控制充放电过程，提升系统安全性与效率。 4. DC-DC转换器：广泛应用于通信设备、服务器电源等需要高效电压调节的场合。 5. 负载开关与电源管理模块：在嵌入式系统中用作负载开关，控制不同模块的供电状态，降低待机功耗。 该MOSFET适合高频开关应用，有助于减小外围电路体积并提高整体能效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 60A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ60S04M3L点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TJ60S04M3L(T6L1,NQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6510pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK+ |
| 其它名称 | TJ60S04M3L(T6L1NQ |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Ta） |
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