Datasheet下载- 型号： NTD4809NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4809NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4809NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4809NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4809NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4809NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4809NT4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中，用于高效能开关操作。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关使用。 3. 负载开关：用于控制电源对负载的供给，如在电池供电设备中实现低功耗管理。 4. LED照明：在LED驱动电路中作为调光或开关元件。 5. 工业控制：如PLC（可编程逻辑控制器）中的信号切换与功率控制。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适用于中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAKMOSFET NFET 30V 58A 9MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4809NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4809NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21.3 ns, 22.7 ns |
| 下降时间 | 5.3 ns, 2.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1456pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 11.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD4809NT4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15.1 ns, 25.3 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 9 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 9 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 11.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta）， 58A （Tc） |
| 系列 | NTD4809N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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