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  • 型号: STF11NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF11NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF11NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTF11NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF11NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF11NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)的STF11NM60N是一款单N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电源管理系统中。该器件具有较高的耐压能力(600V)和良好的导通电阻特性,适合用于以下应用场景:

1. 开关电源(SMPS):适用于各类AC/DC电源适配器、充电器、PC电源等,作为主开关管使用,提升转换效率。

2. 电机控制:可用于工业自动化设备中的电机驱动电路,实现对电机速度与方向的精准控制。

3. 照明系统:如LED路灯或工业照明中,用于调光控制或恒流驱动电路。

4. 家电应用:如变频空调、洗衣机等家用电器中的功率控制部分。

5. 新能源领域:例如太阳能逆变器、储能系统中作为高频开关元件,提高系统整体能效。

由于其具备较强的热稳定性和过载承受能力,STF11NM60N在高温环境下仍可保持良好性能,适用于对可靠性有较高要求的工业级应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STF11NM60N

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

850pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

450 毫欧 @ 5A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-5886-5
STF11NM60N-ND

功率-最大值

25W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

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