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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA62N15P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA62N15P价格参考。IXYSIXTA62N15P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTA62N15P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTA62N15P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXTA62N15P是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。以下是其主要应用场景的详细说明: 1. 电源管理 - IXTA62N15P适用于各种开关电源(SMPS)设计,包括DC-DC转换器和AC-DC适配器。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够高效地进行功率转换,降低能量损耗。 - 在不间断电源(UPS)系统中,该MOSFET可以用于逆变器电路,提供稳定的电流输出。 2. 电机驱动 - 该型号适合用于中小型电机驱动应用,例如无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制。其高耐压(150V)能力使其能够在较高电压环境下稳定运行。 - 在电动车窗、电动座椅等汽车电子设备中,IXTA62N15P可用于驱动小型直流电机。 3. 工业自动化 - 在工业控制领域,IXTA62N15P可作为固态继电器或开关元件,用于控制电磁阀、灯泡或其他负载。 - 它也适用于可编程逻辑控制器(PLC)中的信号切换和功率调节功能。 4. 电池管理系统(BMS) - 在锂电池保护电路中,该MOSFET可以用作充放电路径的开关,确保电池安全运行并防止过流、短路等问题。 5. 音频放大器 - 在D类音频放大器设计中,IXTA62N15P可用作输出级开关器件,实现高效的音频信号放大。 6. 照明系统 - 在LED驱动器中,该MOSFET能够精确控制电流,保证LED灯具的亮度一致性和寿命延长。 7. 通信设备 - IXTA62N15P可用于基站、路由器等通信设备的电源模块,提供快速响应和高效率的功率转换。 总结 IXTA62N15P凭借其优良的电气性能(如低导通电阻、高耐压值和快速开关速度),广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信等领域。在选择具体应用场景时,需根据实际需求评估其工作条件是否符合该MOSFET的技术规格。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 150V 62A TO-263MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 62 A |
Id-连续漏极电流 | 62 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTA62N15PPolarHT™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXTA62N15P |
Pd-PowerDissipation | 350 W |
Pd-功率耗散 | 350 W |
Qg-GateCharge | 70 nC |
Qg-栅极电荷 | 70 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5.5 V |
上升时间 | 38 ns |
下降时间 | 35 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 31A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263 (IXTA) |
典型关闭延迟时间 | 76 ns |
功率-最大值 | 350W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.600 g |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarHT |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 33 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 14 S |
汲极/源极击穿电压 | 150 V |
漏极连续电流 | 62 A |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 62A (Tc) |
系列 | IXTA62N15 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |