Datasheet下载- 型号： IPP26CNE8N G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPP26CNE8N G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP26CNE8N G价格参考。InfineonIPP26CNE8N G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPP26CNE8N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP26CNE8N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPP26CNE8N G是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理：IPP26CNE8N G适用于各种电源管理系统，例如开关模式电源（SMPS）和直流-直流转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机控制：在电机驱动和控制应用中，这款MOSFET能够提供高效、可靠的切换性能，适用于无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的驱动电路。 3. 工业自动化：可用于工业自动化设备中的负载开关、继电器替代和信号隔离等场合，确保系统的稳定性和耐用性。 4. 汽车电子：符合汽车行业标准的 IPP26CNE8N G 可用于车载电子设备，如电动助力转向系统、制动系统以及车身电子控制单元（ECU），支持高可靠性和安全性要求。 5. 消费类电子产品：在笔记本电脑适配器、智能手机快速充电器以及其他便携式设备中，该器件通过优化的热设计实现紧凑型解决方案。 6. 通信基础设施：适用于基站功率放大器偏置控制、射频拉远单元供电等领域，满足高性能通信设备的需求。 7. 不间断电源（UPS）与太阳能逆变器：在这些新能源相关领域中，IPP26CNE8N G 的高效能表现使其成为理想选择，帮助构建更环保节能的系统架构。 总之，IPP26CNE8N G 凭借其卓越的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高效能量转换和精确电流控制的各种场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 85V 35A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP26CNE8N_Rev1.05.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cb28c4761 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPP26CNE8N G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 39µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2070pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | IPP26CNE8NGX |
| 功率-最大值 | 71W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 85V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
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