Datasheet下载- 型号： IXTH12N120
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH12N120由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH12N120价格参考。IXYSIXTH12N120封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTH12N120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH12N120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH12N120是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高电压和较高功率处理能力的电力电子系统中。该器件具有1200V的漏源击穿电压（VDS）和12A的连续漏极电流（ID），适用于高压、高效率的开关电路设计。 其典型应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，用于高效能电能变换。 2. 电机驱动与变频器：在工业自动化、伺服控制系统及交流变频驱动中作为高频开关元件。 3. 逆变器系统：用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等场合，将直流电转换为交流电。 4. 焊接设备：在电焊机中作为功率控制元件，实现对电流的精确调控。 5. 感应加热装置：在电磁炉、工业加热系统中用于高频功率输出控制。 6. 电动汽车相关应用：如车载充电器、电池管理系统中的功率开关元件。 该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。因此，IXTH12N120广泛应用于工业控制、能源转换和电力电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTH12N120 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 （IXTH） |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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