Datasheet下载- 型号： TK10A60W,S4VX
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK10A60W,S4VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK10A60W,S4VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK10A60W,S4VX封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK10A60W,S4VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK10A60W,S4VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK10A60W,S4VX是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于FET晶体管类别。该型号的MOSFET因其电气特性，适用于多种电力电子应用场景，主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） - TK10A60W,S4VX具有较低的导通电阻和较高的耐压能力（600V），适合用作开关电源中的功率开关器件。 - 应用于适配器、充电器以及DC-DC转换器中，能够高效地进行电压转换。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动电路中，该MOSFET可以用作开关元件，控制电机的启动、停止及速度调节。 - 例如家用电器（如风扇、水泵）或工业设备中的直流电机控制。 3. 逆变器 - 该型号的MOSFET适用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）等场景，用于将直流电转换为交流电。 - 其高耐压特性和快速开关能力可以提高逆变效率并降低损耗。 4. 负载开关 - 在需要频繁开启或关闭负载的电路中，该MOSFET可以用作高效的负载开关。 - 常见于汽车电子、LED照明系统以及各种便携式电子设备中。 5. 保护电路 - 可用于过流保护、短路保护等电路设计中，利用其快速响应特性来保护其他敏感元件。 - 例如在电池管理系统（BMS）中，防止过充或过放对电池造成损害。 6. 家电与消费电子 - 在家用电器（如空调、冰箱、洗衣机）和消费电子产品（如显示器、音响设备）中，作为功率控制或信号切换元件使用。 总结 TK10A60W,S4VX凭借其高耐压（600V）、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关及保护电路等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电力电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 700 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SISMOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.7 A |
| 品牌 | Toshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10A60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK10A60W,S4VX- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10A60W |
| 产品型号 | TK10A60W,S4VX |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 327 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 327 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 500µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK10A60WS4VX |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.7A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
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