Datasheet下载- 型号： IPB80N06S2L-H5
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB80N06S2L-H5由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB80N06S2L-H5价格参考。InfineonIPB80N06S2L-H5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB80N06S2L-H5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB80N06S2L-H5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的IPB80N06S2L-H5是一款单通道MOSFET，属于功率场效应晶体管（FET），广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压（60V）、高电流承载能力和高效率，适合用于电源管理和电机控制等对性能和可靠性要求较高的系统。 典型应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于提高能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：用于电动工具、工业自动化设备和家用电器中的直流电机控制，具备良好的热稳定性和响应速度。 3. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）和电动助力转向系统（EPS），适应汽车环境中的高温和高电磁干扰要求。 4. 工业控制：用于PLC、伺服驱动器和变频器等设备中，实现高效的功率开关和负载管理。 5. 消费电子产品：如高功率LED照明、充电器和储能设备中，支持高效能与小型化设计。 该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的散热性能，适用于高频率开关操作，是节能和高可靠性系统设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP_B80N06S2L-H5_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b43235085768 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB80N06S2L-H5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 190nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB80N06S2LH5ATMA1 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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