Datasheet下载- 型号： MCH6321-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6321-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6321-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6321-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6321-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6321-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6321-TL-E 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单N沟道增强型MOSFET，常用于需要高效、低功耗开关控制的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关、负载开关等电路，因其导通电阻低、响应速度快，能有效提高电源转换效率。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备中，用于电源控制和节能管理，有助于延长电池续航时间。 3. 电机驱动：用于小型电机或步进电机的驱动电路中，作为高速开关元件，控制电机的启停与方向。 4. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块、继电器驱动等工业控制系统中，用于信号切换和功率控制。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制、电动门窗等汽车电子模块中，具备良好的温度稳定性和可靠性。 6. 消费类电子产品：如智能家电、智能音箱、无人机等产品中，作为高效能开关元件使用。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛适用于需要高效能与小型化设计的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6MOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH6321-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCH6321-TL-E |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 63 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 63 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 375pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 83 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | MCPH-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 系列 | MCH6321 |
| 配置 | Quad |
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