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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3LP01M-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LP01M-TL-E价格参考。ON Semiconductor3LP01M-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3LP01M-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3LP01M-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3LP01M-TL-E 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,适用于低电压、中等电流的电源管理应用。该器件常用于以下几种应用场景: 1. 负载开关与电源管理:该MOSFET常用于便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关控制,用于开启或关闭特定电路模块的供电,实现节能与电源隔离。 2. 电池供电设备:在电池管理系统(BMS)中,3LP01M-TL-E可用于电池充放电控制与保护电路,帮助防止过流与反向电流。 3. DC-DC转换器:作为同步整流器或高边开关,用于小型DC-DC转换模块中,提高电源转换效率。 4. 电机驱动与继电器替代:在低功率电机控制或固态继电器应用中,该器件可作为高效、快速响应的开关元件。 5. 工业控制与传感器电源:用于工业自动化系统中,为传感器、执行器等提供可控电源。 该器件采用小型封装(如SOT-23),适合空间受限的设计,具备良好的热稳定性和开关性能,适用于中低功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 0.1A |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 3LP01M-TL-E |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.5pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.43nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.4 欧姆 @ 50mA,4V |
供应商器件封装 | SC-70 |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100mA (Ta) |