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CSD18503Q5A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18503Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18503Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD18503Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 19A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD18503Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18503Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD18503Q5A 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET,属于 NexFET 系列。该器件主要应用于需要高效功率转换和低功耗的场景,其典型应用场景包括: 1. DC-DC 转换器 - CSD18503Q5A 具有极低的导通电阻(Rds(on)),通常在几毫欧范围内,非常适合用于高效的 DC-DC 转换器。它能够显著降低开关损耗和传导损耗,从而提高整体效率。 - 应用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理模块。 2. 同步整流 - 在开关电源(如 AC-DC 适配器或 USB-PD 充电器)中,CSD18503Q5A 可用作同步整流 MOSFET,替代传统的二极管,以减少整流损耗并提升效率。 - 特别适合高频开关应用,例如 LLC 谐振转换器或反激式转换器。 3. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路,例如无人机、电动工具或家用电器中的无刷直流电机(BLDC)驱动。 - 其快速开关特性和低损耗特性使其能够在高频 PWM 控制下保持高效运行。 4. 负载开关 - 在需要动态控制电源分配的系统中,CSD18503Q5A 可作为负载开关使用。它支持快速开启/关闭,并能有效防止浪涌电流对系统的冲击。 - 常见于智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品的电源管理单元。 5. 电池保护与管理 - 适用于锂电池组的保护电路,用于防止过充、过放或短路等情况。 - 其低导通电阻有助于减少电池管理系统中的能量损失。 6. 电信与网络设备 - 在基站、路由器或其他通信设备中,CSD18503Q5A 可用于电源模块的设计,提供高效率和高可靠性。 7. 汽车电子 - 虽然 CSD18503Q5A 不是专门针对汽车级应用设计,但在非关键性车载电子设备中(如信息娱乐系统或辅助功能模块),它也可以发挥重要作用。 总结来说,CSD18503Q5A 的核心优势在于其低 Rds(on)、高效率和快速开关能力,因此广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及通信领域的各种功率转换和管理场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 8SONMOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 145 A |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | http://www.ti.com/lit/gpn/csd18503q5a |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18503Q5ANexFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | CSD18503Q5A |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
Qg-栅极电荷 | 26 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2640pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.3 毫欧 @ 22A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
其它名称 | 296-30571-2 |
制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18503Q5A |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Texas Instruments |
商标名 | NexFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | VSON-8 FET |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Ta), 100A (Tc) |
系列 | CSD18503Q5A |
设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
配置 | Single |