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  • 型号: CSD18503Q5A
  • 制造商: Texas Instruments
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CSD18503Q5A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD18503Q5A由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD18503Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD18503Q5A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 19A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) 8-VSONP(5x6)。您可以下载CSD18503Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD18503Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CSD18503Q5A 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET,属于 NexFET 系列。该器件主要应用于需要高效功率转换和低功耗的场景,其典型应用场景包括:

 1. DC-DC 转换器
   - CSD18503Q5A 具有极低的导通电阻(Rds(on)),通常在几毫欧范围内,非常适合用于高效的 DC-DC 转换器。它能够显著降低开关损耗和传导损耗,从而提高整体效率。
   - 应用于笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理模块。

 2. 同步整流
   - 在开关电源(如 AC-DC 适配器或 USB-PD 充电器)中,CSD18503Q5A 可用作同步整流 MOSFET,替代传统的二极管,以减少整流损耗并提升效率。
   - 特别适合高频开关应用,例如 LLC 谐振转换器或反激式转换器。

 3. 电机驱动
   - 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路,例如无人机、电动工具或家用电器中的无刷直流电机(BLDC)驱动。
   - 其快速开关特性和低损耗特性使其能够在高频 PWM 控制下保持高效运行。

 4. 负载开关
   - 在需要动态控制电源分配的系统中,CSD18503Q5A 可作为负载开关使用。它支持快速开启/关闭,并能有效防止浪涌电流对系统的冲击。
   - 常见于智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品的电源管理单元。

 5. 电池保护与管理
   - 适用于锂电池组的保护电路,用于防止过充、过放或短路等情况。
   - 其低导通电阻有助于减少电池管理系统中的能量损失。

 6. 电信与网络设备
   - 在基站、路由器或其他通信设备中,CSD18503Q5A 可用于电源模块的设计,提供高效率和高可靠性。

 7. 汽车电子
   - 虽然 CSD18503Q5A 不是专门针对汽车级应用设计,但在非关键性车载电子设备中(如信息娱乐系统或辅助功能模块),它也可以发挥重要作用。

总结来说,CSD18503Q5A 的核心优势在于其低 Rds(on)、高效率和快速开关能力,因此广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及通信领域的各种功率转换和管理场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 8SONMOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

145 A

品牌

Texas Instruments

产品手册

http://www.ti.com/lit/gpn/csd18503q5a

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD18503Q5ANexFET™

数据手册

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产品型号

CSD18503Q5A

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

Qg-栅极电荷

26 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2640pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.3 毫欧 @ 22A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SON(5x6)

其它名称

296-30571-2

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD18503Q5A

功率-最大值

3.1W

包装

带卷 (TR)

商标

Texas Instruments

商标名

NexFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

VSON-8 FET

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19A (Ta), 100A (Tc)

系列

CSD18503Q5A

设计资源

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176

配置

Single

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