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IXTH40N50L2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH40N50L2由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH40N50L2价格参考。IXYSIXTH40N50L2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 40A(Tc) 540W(Tc) TO-247(IXTH)。您可以下载IXTH40N50L2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTH40N50L2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTH40N50L2是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率晶体管的一种,常用于需要高效能开关和功率控制的场景。该器件具有40A的漏极电流和500V的漏源击穿电压,适合中高功率应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于提高能效和减小体积。 2. 电机驱动与控制:适用于工业自动化设备、伺服驱动器和变频器,提供快速开关和低导通损耗。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电。 4. 充电器与电池管理系统:用于电动车、储能系统中的充放电控制。 5. 工业控制与自动化设备:如PLC、工业电源模块,适用于高可靠性与稳定性的场景。 该MOSFET采用TO-247封装,具备良好的散热性能,适用于高功率密度设计。其内部集成了超结技术(如L2系列),可显著降低导通电阻(Rds(on)),提升效率并减少发热,适合高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40A 500V TO-247MOSFET 40 Amps 500V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTH40N50L2Linear L2™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTH40N50L2 |
| Pd-PowerDissipation | 540 W |
| Pd-功率耗散 | 540 W |
| Qg-GateCharge | 320 nC |
| Qg-栅极电荷 | 320 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 133 ns |
| 下降时间 | 44 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 320nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 170 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 (IXTH) |
| 典型关闭延迟时间 | 127 ns |
| 功率-最大值 | 540W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Linear L2 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
| 系列 | IXTH40N50 |
| 通道模式 | Enhancement |