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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT23N60Q由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT23N60Q价格参考。IXYSIXFT23N60Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFT23N60Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFT23N60Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT23N60Q是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有23A连续漏极电流和600V漏源击穿电压。该器件广泛应用于需要高效、高耐压和高稳定性的电源系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,适用于高效率和高功率密度的设计需求。 2. 电机驱动系统:用于工业自动化设备、伺服驱动器、无刷直流电机控制等场合,具备快速开关特性和高可靠性。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源、变频器等,适用于需要高耐压、大电流能力的功率转换场景。 4. 焊接设备:高频焊接机、等离子切割设备等工业设备中,作为核心功率开关元件使用。 5. 电动汽车相关应用:如车载充电器、电池管理系统(BMS)中的功率控制模块。 该器件采用TO-247封装,便于散热和安装,适合在高功率环境下工作。其低导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,使其在高效率和高可靠性要求的系统中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXFT23N60Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 320 毫欧 @ 500mA,10V |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 400W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |