ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SI7820DN-T1-GE3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI7820DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7820DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7820DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7820DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7820DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7820DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7820DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池供电设备中的功率开关,提高能源转换效率。 2. 负载开关:在笔记本电脑、平板电脑和智能手机中作为负载开关控制外围设备的电源,实现快速开关与低功耗。 3. 电机控制:用于小型电机或继电器的驱动控制,具备良好的开关特性和耐用性。 4. 保护电路:如过流保护、反向电压保护等电路中,作为可控开关元件。 5. 工业控制:广泛应用于工业自动化设备中的电源控制模块,提供稳定可靠的功率切换功能。 该 MOSFET 采用小型封装(如 SOIC-8),适合高密度 PCB 设计,同时具备良好的散热性能,适合多种中低功率应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8MOSFET 200V 2.6A 3.8W 240mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72581 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7820DN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI7820DN-T1-GE3SI7820DN-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 12 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 240 毫欧 @ 2.6A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
其它名称 | SI7820DN-T1-GE3TR |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI7820DN-GE3 |