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详细数据请看参考数据手册
- 型号： RVQ040N05TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RVQ040N05TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RVQ040N05TR价格参考。ROHM SemiconductorRVQ040N05TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RVQ040N05TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RVQ040N05TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RVQ040N05TR是一款N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热稳定性的特点。该器件常用于以下应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关电路，尤其在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中广泛应用。 2. 负载开关：用于控制电池供电设备中的电源分配，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备，实现高效能和低功耗。 3. 电机驱动：在小型电机控制电路中，如无人机、机器人和电动工具中，作为高效开关元件使用。 4. LED照明：用于LED驱动电路中，实现亮度调节和恒流控制。 5. 汽车电子：适用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性和效率要求较高的场景。 该MOSFET封装小巧，适合高密度PCB布局，同时具备良好的抗冲击和耐用性能，适用于多种中高功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 4A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RVQ040N05TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RVQ040N05TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 53 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 53 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 45 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 45 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 21 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 21 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 530pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 53 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RVQ040N05DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 53 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 45 V |
| 漏极连续电流 | 4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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