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产品简介:
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MGSF1P02LT1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)。该器件常用于需要高效、低电压控制的电源管理系统中。 主要应用场景包括: 1. 负载开关与电源管理:适用于便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关控制,实现对不同模块的供电管理,降低待机功耗。 2. 电池供电设备:在电池管理系统中作为高边或低边开关使用,用于控制电池与负载之间的连接,提高系统效率和安全性。 3. DC-DC转换器:用于同步整流或作为功率开关元件,提升转换效率,特别是在低电压输入的升压或降压电路中表现良好。 4. 电机控制与继电器替代:用于小型电机、继电器或LED照明的开关控制,具有响应速度快、寿命长、无机械磨损等优点。 5. 工业控制与自动化设备:在PLC、传感器模块、工业电源等设备中用作功率开关,提供稳定的控制性能。 该MOSFET采用小型封装(如TSOP),适合高密度PCB布局,工作温度范围宽,适用于多种消费类与工业类电子产品。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MGSF1P02LT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 5V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 350 毫欧 @ 1.5A,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MGSF1P02LT1OSTR |
功率-最大值 | 400mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 750mA (Ta) |