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  • 型号: MGSF1P02LT1
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MGSF1P02LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGSF1P02LT1价格参考。ON SemiconductorMGSF1P02LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MGSF1P02LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MGSF1P02LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MGSF1P02LT1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)。该器件常用于需要高效、低电压控制的电源管理系统中。

主要应用场景包括:

1. 负载开关与电源管理:适用于便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关控制,实现对不同模块的供电管理,降低待机功耗。

2. 电池供电设备:在电池管理系统中作为高边或低边开关使用,用于控制电池与负载之间的连接,提高系统效率和安全性。

3. DC-DC转换器:用于同步整流或作为功率开关元件,提升转换效率,特别是在低电压输入的升压或降压电路中表现良好。

4. 电机控制与继电器替代:用于小型电机、继电器或LED照明的开关控制,具有响应速度快、寿命长、无机械磨损等优点。

5. 工业控制与自动化设备:在PLC、传感器模块、工业电源等设备中用作功率开关,提供稳定的控制性能。

该MOSFET采用小型封装(如TSOP),适合高密度PCB布局,工作温度范围宽,适用于多种消费类与工业类电子产品。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MGSF1P02LT1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

130pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

350 毫欧 @ 1.5A,10V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MGSF1P02LT1OSTR

功率-最大值

400mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

750mA (Ta)

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