Datasheet下载- 型号： SI3460DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3460DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3460DV-T1-E3价格参考。VishaySI3460DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3460DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3460DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3460DV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，提供高效能的功率转换。 - 负载开关：作为负载开关控制电路的通断，保护下游电路免受过流、短路等影响。 - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径的控制，确保电池安全和效率。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机。 - H桥电路：在双向电机控制中，作为H桥的一部分，实现电机正转、反转及刹车功能。 3. 信号切换 - 信号路由：在多路复用器或多路选择器中，用于切换不同的信号路径。 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换输入或输出信号源。 4. 保护电路 - 过流保护：利用MOSFET的限流特性，防止电路因过载而损坏。 - ESD保护：在敏感电路中，配合其他器件实现静电放电保护。 5. 便携式设备 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理单元（PMU）和负载开关。 - USB接口保护：在USB充电或数据传输中，作为开关或保护元件。 6. 照明系统 - LED驱动：用于驱动单个或多个LED，调节亮度和颜色。 - 背光控制：在显示屏背光电路中，实现亮度调节和节能功能。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 小型封装：节省PCB空间，适合紧凑型设计。 SI3460DV-T1-E3 凭借其高性能和可靠性，成为许多低功耗、高效率应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3460DV-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 1mA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3460DV-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.1A （Ta） |
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