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SI7116DN-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7116DN-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7116DN-T1-E3价格参考。VishaySI7116DN-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 10.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7116DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7116DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7116DN-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:SI7116DN 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 1.8mΩ)使其非常适合用作开关器件,用于高效降压或升压转换器。 - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可作为负载开关,控制电源的接通与断开,同时减少功率损耗。 - 电池保护:在电池管理系统中,可用于防止过流、短路或反向电流。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于低电压电机驱动应用,例如风扇、泵或玩具电机。 - H桥电路:作为 H 桥的一部分,用于实现电机的正转和反转控制。 3. 信号切换 - 高速信号切换:利用其快速开关特性,在音频、视频或其他信号路径中实现信号切换。 - 多路复用器/解复用器:在需要选择不同输入或输出信号的应用中,作为开关元件。 4. 汽车电子 - 车身控制模块:用于车窗升降器、座椅调节、雨刷控制等低功率负载的开关。 - LED 驱动:在汽车照明系统中,控制 LED 灯的亮度和开关。 5. 消费电子 - 笔记本电脑和移动设备:用于电源分配、USB 充电管理和电池充电控制。 - 音频放大器:在 D 类放大器中作为功率级开关。 6. 工业自动化 - 传感器接口:用于控制传感器的电源或信号传输。 - 继电器替代:在需要固态开关的地方,取代传统机械继电器以提高可靠性和寿命。 7. 通信设备 - 基站电源:在基站的电源模块中,用于高效的功率转换。 - 网络设备:如路由器和交换机中的电源管理和信号切换。 SI7116DN 的小尺寸(采用 TrenchFET Gen IV 技术的 PowerPAK® 1212-8S 封装)和高效率性能,使其成为紧凑型设计的理想选择,特别适合对空间和功耗要求严格的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8MOSFET 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 16.4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73139 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7116DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7116DN-T1-E3SI7116DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.8 毫欧 @ 16.4A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7116DN-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 68 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.5A (Ta) |
| 系列 | SI71xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7116DN-E3 |