ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLHS2242TRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRLHS2242TRPBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRLHS2242TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLHS2242TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLHS2242TRPBF价格参考。International RectifierIRLHS2242TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta），15A（Tc） 2.1W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2）。您可以下载IRLHS2242TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLHS2242TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。 

IRLHS2242TRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别中的单个器件。以下是该型号 MOSFET 的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS)：IRLHS2242TRPBF 可用于高效能的开关电源设计中，作为功率开关来控制电压和电流的转换。
   - DC-DC 转换器：适用于降压或升压 DC-DC 转换器，提供高效的电压调节功能。
   - 负载开关：在便携式电子设备中，用作负载开关以实现快速、低损耗的电路通断。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制：可用于驱动风扇、泵、无人机电机等小型直流电机，支持精确的速度和方向控制。
   - H 桥电路：在 H 桥配置中使用，用于双向电机控制，广泛应用于机器人和自动化设备。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池充放电保护：在锂电池或其他可充电电池组中，用作充放电路径的开关，确保电池安全运行。
   - 均衡电路：在多节电池串联的应用中，用于电池均衡以延长电池寿命。

 4. 汽车电子
   - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等需要低功耗、高效率的控制场合。
   - LED 驱动：为汽车 LED 灯提供稳定电流，确保亮度一致性和可靠性。

 5. 工业自动化
   - 继电器替代：由于其快速开关特性和低导通电阻，可以替代传统机械继电器，用于工业控制系统中的信号切换。
   - 传感器接口：在工业传感器中，用作信号放大或隔离的开关元件。

 6. 消费电子产品
   - 音频放大器：在便携式音响或耳机放大器中，作为输出级开关以提高效率。
   - USB 充电端口控制：在智能手机、平板电脑等设备中，用于 USB 充电端口的过流保护和动态功率分配。

 7. 通信设备
   - 信号调理：在通信模块中，用于信号的放大、滤波或隔离。
   - 射频前端：某些高频应用中，MOSFET 可用于射频开关或匹配网络。

 总结
IRLHS2242TRPBF 凭借其低导通电阻、高效率和快速开关特性，非常适合于需要高性能、低功耗和可靠性的各种应用场景，涵盖电源管理、电机驱动、电池保护、汽车电子以及工业自动化等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
描述

MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFNMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 12nC
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

逻辑电平门
FET类型

MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent

- 15 A
Id-连续漏极电流

- 15 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLHS2242TRPBFHEXFET®
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRLHS2242TRPBF
PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation

9.6 W
Pd-功率耗散

9.6 W
Qg-GateCharge

12 nC
Qg-栅极电荷

12 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance

31 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻

31 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V
Vds-漏源极击穿电压

- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V
Vgs-栅源极击穿电压

12 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

877pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

31 毫欧 @ 8.5A，4.5V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

6-PQFN（2x2）
其它名称

IRLHS2242TRPBFDKR
功率-最大值

2.1W
功率耗散

9.6 W
包装

Digi-Reel®
商标

International Rectifier
安装类型

表面贴装
安装风格

SMD/SMT
导通电阻

31 mOhms
封装

Reel
封装/外壳

6-PowerVDFN
封装/箱体

PQFN-6 2x2
工厂包装数量

4000
晶体管极性

P-Channel
栅极电荷Qg

12 nC
标准包装

1
汲极/源极击穿电压

- 20 V
漏极连续电流

- 15 A
漏源极电压(Vdss)

20V
特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/InternationalRectifier/pqfn2x2.html
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

7.2A （Ta）， 15A （Tc）
设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlhs2242trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlhs2242trpbf.spi
配置

Single Quint Drain Dual Source
闸/源击穿电压

12 V
推荐商品

型号：SUD40N10-25-T4-E3

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：BSC018NE2LSATMA1

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：ZVP2106GTC

品牌：Diodes Incorporated

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FDD8796

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IXTQ69N30P

品牌：IXYS

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FQD10N20CTF

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：ZXMN6A11GTC

品牌：Diodes Incorporated

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRLS3813TRLPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRLHS2242TRPBF 相关产品

FQD6N50CTM_F080

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

IXFK150N10

品牌：IXYS

价格：

联系销售

APT17F100B

品牌：Microsemi Corporation

价格：

联系销售

STW9NK95Z

品牌：STMicroelectronics

价格：￥10.94-￥22.24

联系销售

IRFBE20PBF

品牌：Vishay Siliconix

价格：￥3.83-￥24.71

联系销售

FDD4685

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

TPC6008-H(TE85L,FM

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

价格：

联系销售

SSM3J328R,LF

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

价格：￥3.04-￥3.04

联系销售
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
MTM761230LBF
SFT1445-TL-H
STD1NK60T4
R5005CNX
STB7N52K3
NTB4302
IRF9Z24NLPBF
NTMFS4119NT1G
NTD12N10T4G
DMN5L06WK-7
TPCA8045-H(T2L1,VM
SKP202VR
RJK5018DPK-00#T0
NTD3055-094-1
IRFRC20TRRPBF
HUF76619D3ST
IRFZ48PBF
BSS123TA
AON6400
AUIRFR540Z
STD120N4LF6
ATP103-TL-H
IRLR3410PBF
BSS138N E7854
NTD4909NA-35G
IRLL2705TR
STP15NM65N
IRF7465
AON7416
IRF3717TR
NTD4860NT4G
DMN601K-7
VN10KN3-G-P002
AO6408
IXTA3N50D2
SI2308DS-T1-E3
IRFL024N
IRLL024NPBF
IRF8788PBF
IRFR9120NTRLPBF
HUF75229P3
FDMC86160
NVTFS4C13NWFTWG
IRF6618TR1PBF
SSM3K16CT(TPL3)
NTD4970N-35G
STD13NM60ND
BUK9Y12-40E,115
DMN21D2UFB-7B
BSC090N03MSGATMA1
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET V -20 V DS TOP VIEW V ±12 V GS max R DS(on) max 31 mΩ (cid:3) (@VGS = 4.5V) D 1 6 D (cid:3) (cid:3) (cid:2) R DS(on) max 53 mΩ D 2 D 5 D (@V = 2.5V) GS (cid:3) Qg typ 9.6 nC G 3 S 4 S (cid:3) (cid:4) (cid:4) 2mm x 2mm PQFN I D -8.5(cid:0) A (@T = 25°C) c(Bottom) Applications (cid:2) Charge and Discharge Switch for Battery Application (cid:2) System/load switch Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (≤ 13°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile (≤ 1.0mm) results in Increased Power Density ⇒ Industry-Standard Pinout Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen Environmentally Friendlier MSL1, Industrial Qualification Increased Reliability Standard Pack Orderable part number Package Type Note Form Quantity IRLHS2242TRPbF PQFN 2mm x 2mm Tape and Reel 4000 IRLHS2242TR2PbF PQFN 2mm x 2mm Tape and Reel 400 EOL notice # 259 Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage -20 V VGS Gate-to-Source Voltage ±12 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V -7.2 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V -5.8 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V -15(cid:3)(cid:4) ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V -9.8(cid:3)(cid:4) A ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V (Wirebond Limited) -8.5(cid:4) IDM Pulsed Drain Current (cid:0) -34 PD @TA = 25°C Power Dissipation (cid:2) 2.1 PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation (cid:2) 9.6 W Linear Derating Factor (cid:2) 0.02 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 150 °C TSTG Storage Temperature Range Notes(cid:2)(cid:2) through (cid:2) are on page 9 (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BVDSS Drain-to-Source Breakdown Voltage -20 ––– ––– V VGS = 0V, ID = -250μA ΔΒVDSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.01 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 25 31 mΩ VGS = -4.5V, ID = -8.5A (cid:4) ––– 43 53 V = -2.5V, I = -6.8A (cid:4) GS D VGS(th) Gate Threshold Voltage -0.4 -0.8 -1.1 V V = V , I = -10μA ΔVGS(th) Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -3.8 ––– mV/°C DS GS D IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -1.0 μA VDS = -16V, VGS = 0V ––– ––– -150 V = -16V, V = 0V, T = 125°C DS GS J IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– -100 nA VGS = -12V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– 100 V = 12V GS gfs Forward Transconductance 10 ––– ––– S V = -10V, I = -8.5A DS D Qg Total Gate Charge ––– 12 ––– nC VGS =-10V, VDS = -10V, ID = -8.5A Qg Total Gate Charge ––– 9.6 ––– VDS = -10V Qgs Gate-to-Source Charge ––– 1.6 ––– nC VGS = -4.5V Qgd Gate-to-Drain Charge ––– 3.7 ––– ID = -8.5A Qgodr Gate Charge Overdrive ––– 4.3 ––– Qsw Switch Charge (Qgs2 + Qgd) ––– 4.8 ––– Qoss Output Charge ––– 6.8 ––– nC VDS = 16V, VGS = 0V RG Gate Resistance ––– 17 ––– Ω td(on) Turn-On Delay Time ––– 7.9 ––– VDD = -10V, VGS = -4.5V tr Rise Time ––– 54 ––– ID = -8.5A ns td(off) Turn-Off Delay Time ––– 54 ––– RG = 2.0Ω tf Fall Time ––– 66 ––– Ciss Input Capacitance ––– 877 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 273 ––– pF VDS = -10V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 182 ––– ƒ = 1.0KHz Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units EAS Single Pulse Avalanche Energy (cid:0) ––– 18 mJ IAR Avalanche Current (cid:2) ––– -8.5 A Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– -8.5(cid:5) MOSFET symbol D (Body Diode) showing the A ISM Pulsed Source Current integral reverse G ––– ––– -34 (Body Diode)(cid:3)(cid:2) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– -1.2 V TJ = 25°C, IS = -8.5A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time ––– 27 41 ns TJ = 25°C, IF = -8.5A, VDD = -10V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 20 30 nC di/dt = 200A/μs (cid:4)(cid:3) ton Forward Turn-On Time Time is dominated by parasitic Inductance Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC (Bottom) Junction-to-Case (cid:0) ––– 13 RθJC (Top) Junction-to-Case (cid:0) ––– 90 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 60 RθJA (<10s) Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 42 (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:12)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 100 100 VGS VGS TOP -10V TOP -10V -7.0V -7.0V A) -4.5V A) -4.5V Cuenr(r t 10 BOTTOM -----32211.....55085VVVVV Cuenrr(t 10 BOTTOM -----32211.....55085VVVVV Suoecr Souecr Dnoar--ti 1 -1.5V Dnoar--ti 1 -1.5V , D , D -I ≤60μs PULSE WIDTH -I ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.1 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 1.4 ec ID = -8.5A n A) ast VGS = -4.5V ( si nt Re 1.2 uerr 10 On Couecr TJ = 150°C Souecr edaz)li1.0 S o- m Danor--- tI,iD 1 TJV≤ 6=D0 S2μ5 s=° CP-1U0LVSE WIDTH Danr- t,iRDSon() No(r 0.8 0.1 0.6 0 1 2 3 4 5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 -VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature 10000 14 VGS = 0V, f = 1 KHZ C = C + C , C SHORTED ID= -8.5A iss gs gd ds Crss = Cgd V) 12 Coss = Cds + Cgd e( VDS= -16V Fp) agotl 10 VVDDSS== --41V0V anecc(t i 1000 Ciss SVouecr 8 pa o- 6 Ca e-t C, Coss Gat, S 4 G Crss V- 2 100 0 1 10 100 0 5 10 15 20 25 -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:14)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) A) A) 100 Cuenr(rt 10 TJ = 150°C Cuenrr( t 10 100μsec Danr i ouecr 1msec Reeevsr , DS 1 TJ = 25°C DSanor-- t, iD 0.11 Tc =LW i2mir5eitbe°odCn bdy 1D0mCsec -I -I Tj = 150°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.01 0.2 0.6 1.0 0.10 1 10 100 -VSD, Source-to-Drain Voltage (V) -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 8. Maximum Safe Operating Area 16 1.5 14 Limited By Wirebond V) e( 1.2 g 12 a A) otl n(t 10 Vd uerr hosl 0.9 C 8 e n hr Dari 6 aett 0.6 -I,D 4 G, h) IIDD == --21500uuAA S(t 0.3 ID = -1.0mA G ID = -10mA 2 V - 0 0.0 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Case Temperature 100 W C/ 10 ° D = 0.50 ) C 0.20 J Ze( h t 1 000...001250 s on 0.01 p 0.1 s e R a l m her 0.01 SINGLE PULSE Notes: T ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:31)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Ω) 70 80 m J) I ( ec 60 ID = -8.5A my( 70 TOP -2D.2A anssti Enegr 60 B O T T O M - 4-8.3.5AA Re 50 e n hc 50 O n uecr Snoo--t 3400 TJ = 125°C APaeaeuvs ll 3400 ai gl 20 Dr, n) 20 TJ = 25°C SniS, 10 o A S( E RD 10 0 0 2 4 6 8 10 12 25 50 75 100 125 150 Starting TJ, Junction Temperature (°C) -VGS, Gate -to -Source Voltage (V) Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current L VDS IAS RG D.U.T V DD IAS A -(cid:2)(cid:3)2(cid:2)0(cid:3)V DRIVER tp 0.01Ω tp V(BR)DSS 15V Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:4) (cid:2) (cid:2) (cid:2)(cid:3) td(on) tr td(off) tf (cid:2)(cid:4)(cid:3) VGS (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:6) 10% (cid:4) (cid:4) - (cid:2) (cid:2)(cid:2) + (cid:3)(cid:2) (cid:4)(cid:3) 90% (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)≤ 1 (cid:16)(cid:8) (cid:2)(cid:6)(cid:14)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:22)(cid:10)≤ 0.1 % VDS Fig 15a. Switching Time Test Circuit Fig 15b. Switching Time Waveforms (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:2) Period D = P.W. + P.W. Period " (cid:3) (cid:25)(cid:12)(cid:22)(cid:20)(cid:6)(cid:12)(cid:14)(cid:10)(cid:26)(cid:19)(cid:17)(cid:21)(cid:6)(cid:14)(cid:10)(cid:25)(cid:21)(cid:24)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:22)(cid:19)(cid:14)(cid:12)(cid:21)(cid:24)(cid:8) VGS=10V • (cid:10)(cid:26)(cid:21)(cid:27)(cid:10)(cid:3)(cid:14)(cid:22)(cid:19)(cid:17)(cid:10)(cid:23)(cid:24)(cid:13)(cid:6)(cid:20)(cid:14)(cid:19)(cid:24)(cid:20)(cid:9) (cid:10)(cid:10) • (cid:4)(cid:22)(cid:21)(cid:6)(cid:24)(cid:13)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:19)(cid:24)(cid:9) - (cid:10)(cid:10) • (cid:26)(cid:21)(cid:27)(cid:10)(cid:26)(cid:9)(cid:19)(cid:28)(cid:19)(cid:29)(cid:9)(cid:10)(cid:23)(cid:24)(cid:13)(cid:6)(cid:20)(cid:14)(cid:19)(cid:24)(cid:20)(cid:9) (cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:25)(cid:6)(cid:22)(cid:22)(cid:9)(cid:24)(cid:14)(cid:10)(cid:30)(cid:22)(cid:19)(cid:24)(cid:8)(cid:31)(cid:21)(cid:22) (cid:9)(cid:22) D.U.T. ISDWaveform + (cid:5) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:6) dv/dt VDD (cid:2) (cid:4)(cid:4) • (cid:13)(cid:12)!(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:24)(cid:14)(cid:22)(cid:21)(cid:7)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:10)"(cid:17)(cid:10)#(cid:2) (cid:2)(cid:2) Re-Applied • (cid:2)(cid:22)(cid:12)$(cid:9)(cid:22)(cid:10)(cid:8)(cid:19) (cid:9)(cid:10)(cid:14)(cid:17)%(cid:9)(cid:10)(cid:19)(cid:8)(cid:10)(cid:2)&’&(cid:30)& + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:23)(cid:3)(cid:4)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:24)(cid:14)(cid:22)(cid:21)(cid:7)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:10)"(cid:17)(cid:10)(cid:2)(cid:6)(cid:14)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:22)(cid:10)((cid:2)( - In(cid:23)(cid:24)d(cid:13)u(cid:6)c(cid:20)to(cid:14)(cid:21)r (cid:22)C(cid:10)(cid:25)u(cid:6)re(cid:22)(cid:22)n(cid:9)t(cid:24)(cid:14) • (cid:2)&’&(cid:30)&(cid:10))(cid:10)(cid:2)(cid:9)$(cid:12)(cid:20)(cid:9)(cid:10)’(cid:24)(cid:13)(cid:9)(cid:22)(cid:10)(cid:30)(cid:9)(cid:8)(cid:14) Ripple ≤ 5% ISD "(cid:9)(cid:9)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:12)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:21)(cid:9)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:21)(cid:15)(cid:12)(cid:9)(cid:14)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:17)(cid:24)(cid:24)(cid:10)(cid:16) "(cid:9)(cid:2)(cid:4)(cid:3)(cid:9)(cid:25)(cid:9)(cid:26)(cid:2)(cid:9)(cid:21)(cid:15)(cid:12)(cid:9)(cid:27)(cid:15)(cid:28)(cid:18)(cid:29)(cid:9)(cid:27)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:16)(cid:9)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:18)(cid:29)(cid:10)(cid:13) Fig 16. (cid:25)(cid:6)(cid:10)(cid:29)(cid:18)(cid:2)(cid:21)(cid:18)#(cid:18)(cid:7)(cid:26)(cid:18)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:10)#(cid:18)(cid:7)$(cid:2)%(cid:18)(cid:26)(cid:17)(cid:2)&(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:23)(cid:6)(cid:17)(cid:2)for P-Channel HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFETs Id Vds L VCC Vgs DUT 0 210KK SS Vgs(th) Qgodr Qgd Qgs2 Qgs1 Fig 17a. Gate Charge Test Circuit Fig 17b. Gate Charge Waveform (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)!(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) PQFN Package Details PQFN Part Marking (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3) Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)’(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) PQFN 2x2 Outline Tape and Reel CORE TAPE Remark: Width - Dimension above are typical dimensions. TaCTbAlOePV 2EE:R TOLERANCE -- CSuorvfearc eta rpees itshtiicvkitnye 1s0sE is5 <0. 0R4s8 <m1m0E +9/.- 0.005mm. (WIDTH) 5.4 mm +/- 0.1 mm 9.5 mm +/- 0.1 mm Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)((cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Qualification information† Industrial† Qualification level (per JEDEC JESD47F †† guidelines ) MSL1 Moisture Sensitivity Level PQFN 2mm x 2mm (per IPC/JEDEC J-STD-020D†† ) RoHS compliant Yes *(cid:2) Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/product-info/reliability **(cid:2)(cid:2)Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:6)(cid:9)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:5)(cid:9)(cid:9)Starting T = 25°C, L = 0.49mH, R = 50Ω, I = -8.5A. J G AS (cid:3)(cid:9)Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:4) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:7)(cid:3)When mounted on 1 inch square 2 oz copper pad on 1.5x1.5 in. board of FR-4 material. (cid:8)(cid:9)Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. (cid:2) Package is limited to -8.5A by die-source to lead-frame bonding technology Revision History Date Comments • Corrected Qual level from "Consumer" to "Industrial" on page 1, 9 10/10/2013 • Updated data sheet with new IR corporate template 12/16/2013 • Updated ordering information to reflect the End-Of-life (EOL) of the mini-reel option (EOL notice #259) IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2))(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRLHS2242TR2PBF IRLHS2242TRPBF