Datasheet下载- 型号： NTD4909NA-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4909NA-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4909NA-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4909NA-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4909NA-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4909NA-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4909NA-35G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于多种中低功率电源管理与开关控制场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源开关与负载管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池管理电路；各类DC-DC转换器，用于提升或降低电压，提高电源效率；电机驱动电路，尤其在小型直流电机或步进电机控制中实现快速开关；以及LED驱动电路，用于精确控制LED亮度与电流。此外，该MOSFET也广泛用于电源适配器、充电器和消费类电源模块中，作为高效开关元件。 其SOT-223封装形式具备良好的散热性能，适合空间紧凑但需一定功率处理能力的设计。由于具备较高的雪崩能量耐受能力和可靠的ESD保护，NTD4909NA-35G在工业控制、汽车电子辅助系统（如车用照明、传感器供电）等对可靠性要求较高的环境中也有应用。 总之，NTD4909NA-35G是一款性能稳定、应用广泛的MOSFET，特别适合需要高效率、小尺寸和良好热性能的电源开关设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4909NA-35G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1314pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.37W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.8A （Ta）， 41A （Tc） |
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