Datasheet下载- 型号： FQD10N20CTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD10N20CTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD10N20CTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD10N20CTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD10N20CTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD10N20CTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD10N20CTF是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有10A电流容量和200V漏源击穿电压。该器件采用TO-252封装，适用于中高功率的开关应用。 主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如AC/DC、DC/DC转换器，用于高效能电源管理系统。 2. 电机驱动电路：适用于小型电机控制，如电动工具、风扇或泵类设备。 3. 负载开关：作为高边或低边开关控制电阻性或感性负载。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或光伏逆变器中的功率切换。 5. 电池管理系统（BMS）：在充放电控制电路中作为开关元件使用。 6. 工业自动化设备：用于PLC输出模块、继电器替代方案等。 该MOSFET具备低导通电阻、快速开关特性及良好的热稳定性，适合高频开关和节能设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD10N20CTF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.8A （Tc） |
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