Datasheet下载- 型号： IPB04N03LB
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB04N03LB由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB04N03LB价格参考。InfineonIPB04N03LB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB04N03LB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB04N03LB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPB04N03LB是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该型号适用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动中，IPB04N03LB可以用作功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。其耐压能力（30V）适合低电压电机驱动系统。 3. 负载开关：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑等）中，该MOSFET可用作负载开关，实现对不同电路模块的供电控制，以降低功耗。 4. 电池管理：IPB04N03LB适用于锂电池保护电路，用于防止过充、过放或短路情况的发生。其低导通电阻可减少电池电流流经时的功率损耗。 5. LED驱动：在LED照明应用中，该MOSFET可用于恒流驱动电路，通过PWM调光或线性调节方式控制LED亮度。 6. 信号切换：在需要高速信号切换的场景中，IPB04N03LB可以作为模拟开关，用于音频信号、传感器信号或其他低电平信号的切换。 7. 汽车电子：尽管额定电压较低，但在某些非关键性的汽车电子应用中（如车内照明、娱乐系统等），IPB04N03LB也可发挥作用。 总结来说，IPB04N03LB凭借其低导通电阻、小封装尺寸和高频率性能，非常适合应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域中的低功率、高效能需求场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB04N03LB_Rev0.94_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42a0c114292 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB04N03LB |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 70µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5203pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 55A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB04N03LBT |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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