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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2B14FHTA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2B14FHTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN2B14FHTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXMN2B14FHTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN2B14FHTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN2B14FHTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于中低功率的开关电路中。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在较小的封装下提供较高的电流承载能力,适合用于高效能、小体积的电源管理系统。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关、电池充电管理电路等,适用于便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、穿戴设备)中的电源控制。 2. 电机驱动:在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件,适用于家电、无人机、电动工具等设备。 3. LED照明:用于LED驱动电路中的开关控制,实现调光或节能功能。 4. 工业控制:在PLC、传感器模块、继电器替代电路中用于信号切换或功率控制。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED车灯驱动、车载充电器等对空间和效率要求较高的场景。 该MOSFET采用小型化封装(如DFN1006-6),适合高密度PCB布局,适用于需要节省空间和提高系统效率的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN2B14FHTA- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMN2B14FHTA |
Pd-PowerDissipation | 1500 mW |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms at 4.5 V |
RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 5.2 ns |
下降时间 | 5.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 872pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 3.5A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
其它名称 | ZXMN2B14FHCT |
其它图纸 | |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |