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Datasheet下载- 型号： STW38N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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STW38N65M5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW38N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW38N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTW38N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 650V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247。您可以下载STW38N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW38N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STW38N65M5是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，因其高耐压（650V）和低导通电阻特性，有助于提高能效并减少发热。 2. 电机驱动：可用于工业自动化设备、电动工具和家电中的电机控制电路，提供快速开关和高可靠性。 3. 照明系统：如LED照明驱动电源，支持高效率和稳定输出。 4. 新能源领域：例如太阳能逆变器、储能系统等，适用于需要高电压和高效率功率转换的环境。 5. 汽车电子：如车载充电器、电池管理系统（BMS）等，符合汽车行业对高可靠性和耐环境性能的要求。 该MOSFET采用高性能沟槽栅技术，具备良好的热稳定性和高雪崩耐受能力，适合在高频率和高负载条件下运行。其封装形式（如TO-247）便于散热和安装，适用于多种功率电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 30A TO-247MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW38N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW38N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 95 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13124-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253405?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | STW38N65M5 |
