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产品简介:
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IRFN214BTA_FP001 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,常用于高效率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点,适用于多种电源管理和功率转换场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换器(DC-DC Converter):用于笔记本电脑、服务器、通信设备等中的电源模块,实现高效的电压转换。 2. 同步整流器:在开关电源或适配器中作为同步整流元件,替代传统二极管,提高转换效率。 3. 电机控制与驱动:用于电动工具、家电或工业电机的驱动电路中,实现对电机转速和方向的控制。 4. 负载开关:作为高侧或低侧开关,用于控制电源对负载的供电,常见于电池管理系统或智能电源控制设备中。 5. 逆变器系统:如UPS(不间断电源)或太阳能逆变器中,用于将直流电转换为交流电。 6. 汽车电子应用:因其可靠性和耐环境能力,也可用于车载电源系统或LED照明驱动。 该MOSFET采用表面贴装封装(如DPAK或类似),便于散热和自动化生产,适用于中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFN214BTA_FP001 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 275pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 300mA,10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 600mA (Ta) |