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Datasheet下载- 型号： TK50P03M1(T6RSS-Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK50P03M1(T6RSS-Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK50P03M1(T6RSS-Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK50P03M1(T6RSS-Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK50P03M1(T6RSS-Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK50P03M1(T6RSS-Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK50P03M1(T6RSS-Q) 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储） 旗下产品，是一款 P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件常用于需要高效功率控制和低导通电阻的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制，因其低导通电阻（Rds(on)）可降低功率损耗，提高能效。 2. 电机控制：在电动工具、小型电机或风扇控制电路中作为开关元件使用，能够承受一定电流和电压，实现高效开关操作。 3. 汽车电子：可用于车载系统如车身控制模块、照明控制或车载充电系统中，具备一定的可靠性和耐环境能力。 4. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动电路、工业电源等，实现对高边负载的高效控制。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电源管理、移动电源（充电宝）等对体积和效率要求较高的应用。 该MOSFET采用表面贴装封装，适合自动化生产，适用于需要高密度布局的电路设计。整体而言，其应用场景集中在中低功率的开关与控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK50P03M1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK50P03M1(T6RSS-Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DP |
| 其它名称 | TK50P03M1(T6RSSQ)TR |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Ta） |
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