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  • 型号: IRF9317TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF9317TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9317TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9317TRPBF价格参考¥6.04-¥6.04。International RectifierIRF9317TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF9317TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9317TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRF9317TRPBF 是一款P沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET/MOSFET类别。该器件采用先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和良好的热稳定性,适用于中等功率的开关和电源管理应用。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流电路和电压调节模块(VRM),提升转换效率,降低功耗。  
2. 负载开关:在电池供电设备中作为高端或低端开关,控制电源通断,防止反向电流,保护系统。  
3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中的上桥臂开关元件。  
4. 消费电子:广泛应用于笔记本电脑、移动电源、充电器、智能家居设备等便携式电子产品中,实现高效节能的电源控制。  
5. 工业控制:用于PLC模块、传感器供电控制和继电器替代方案,提高系统可靠性与响应速度。  

IRF9317TRPBF采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和焊接,适合表面贴装工艺,具备良好的热性能和可靠性。其无铅(Pb-free)设计符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的产品。由于其优异的电气特性和稳定表现,该型号在需要高效率、小体积和低成本的功率开关场合中被广泛采用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOICMOSFET MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 16 A

Id-连续漏极电流

- 16 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9317TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF9317TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

31 nC

Qg-栅极电荷

31 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.4V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2820pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

92nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.6 毫欧 @ 16A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF9317TRPBFTR

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

10.2 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

栅极电荷Qg

31 nC

标准包装

4,000

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 16 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf9317.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf9317.spi

闸/源击穿电压

20 V

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