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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3303TRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3303TRLPBF价格参考。International RectifierIRFR3303TRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR3303TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR3303TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRFR3303TRLPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能,适合多种电源管理和功率控制场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路中,提升电源转换效率。 2. 电机驱动:在电动工具、无人机、电动车、机器人等设备中作为功率开关,控制电机的启停与调速。 3. 负载开关:用于智能电池管理系统、工业控制系统中,实现对负载的快速通断控制。 4. 照明系统:应用于LED驱动电源中,支持高亮度LED的高效供电与调光控制。 5. 消费电子:如笔记本电脑、游戏主机、智能家电等设备中的电源模块。 6. 工业自动化:用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业控制设备中,提供稳定可靠的功率控制。 7. 汽车电子:在车载充电系统、电池管理系统(BMS)、车载逆变器中使用,满足汽车电子对可靠性和效率的高要求。 IRFR3303TRLPBF采用TDFN封装,体积小、散热好,适用于空间受限且对热性能有要求的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 33A DPAKMOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 19.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3303TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR3303TRLPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 57 W |
| Pd-功率耗散 | 57 W |
| Qg-GateCharge | 19.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 31 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 99 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 31 毫欧 @ 18A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 9.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr3303.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr3303.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |