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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTDV3055L104-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTDV3055L104-1G价格参考。ON SemiconductorNTDV3055L104-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTDV3055L104-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTDV3055L104-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTDV3055L104-1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种中低压功率应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能,广泛用于以下场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适合高效能、小体积的电源设计。 2. 电机控制:用于直流电机驱动器或步进电机控制电路,提供快速开关和低损耗性能。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的功率开关和电源管理系统。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动、电动窗或座椅的电机控制等。 5. 工业自动化:在PLC、工业电源和传感器供电模块中实现高效能功率控制。 6. 消费类电子产品:如智能家电、智能插座、充电器等,用于实现节能高效的功率控制。 该MOSFET采用紧凑封装,适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于需要高效率和高稳定性的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A IPAKMOSFET NFET DPAK 60V 12A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTDV3055L104-1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTDV3055L104-1G |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 104 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 104 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 70 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 104 毫欧 @ 6A,5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
| 封装/箱体 | DPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta) |
| 系列 | NTD3055L104 |