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Datasheet下载- 型号： 2SK2103T100
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK2103T100由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK2103T100价格参考￥0.83-￥1.99。ROHM Semiconductor2SK2103T100封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3。您可以下载2SK2103T100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK2103T100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SK2103T100是一款N沟道MOSFET，主要应用于需要高效功率切换和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：该型号适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，能够提供高效的开关控制，支持快速启停和速度调节。 3. 负载切换：在汽车电子和工业自动化领域，用作负载切换开关，实现对各种负载的安全、可靠控制。 4. 电池保护：在电池管理系统（BMS）中，作为充放电保护开关，防止过流、过充或过放等异常情况。 5. 音频设备：可用于音频放大器中的功率输出级，提供高保真音质的同时降低失真。 6. 通信设备：适用于基站、路由器等通信设备中的信号处理和功率放大电路。 7. 消费电子产品：如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等便携式设备中，确保高效能与小型化设计。 总之，2SK2103T100凭借其优异的电气性能和稳定性，在众多需要高性能功率管理及开关应用的场合中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89MOSFET N-CH 30V 2A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor 2SK2103T100- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK2103T100 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SK2103T100DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | MPT-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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