Datasheet下载- 型号： STD1NK80Z-1
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD1NK80Z-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD1NK80Z-1价格参考。STMicroelectronicsSTD1NK80Z-1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD1NK80Z-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD1NK80Z-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD1NK80Z-1是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场景。其主要特点包括高耐压（800V）、低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明系统（如LED驱动器）以及家电中的功率控制模块。此外，该器件也适用于工业自动化设备、变频器和逆变器等对功率密度和能效要求较高的场合。其坚固的设计和优良的可靠性使其能够在较恶劣的工作环境中稳定运行，是各类中高功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1A IPAKMOSFET N-Ch, 800V-13ohms 1A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD1NK80Z-1SuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD1NK80Z-1 |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 7.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.75 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.75 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 16 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 0.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 800 V |
| 漏极连续电流 | 1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Tc） |
| 系列 | STD1NK80Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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