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  • 型号: FQAF33N10L
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF33N10L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF33N10L价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF33N10L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQAF33N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQAF33N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

安森美半导体(ON Semiconductor)的FQAF33N10L是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场合。该器件具有低导通电阻、高电流容量和良好热性能,适用于以下主要场景:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低损耗。

2. 电机驱动:在直流电机、步进电机及无刷电机控制电路中作为开关元件,实现高效调速与控制。

3. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)和LED照明驱动,满足汽车环境对可靠性和效率的高要求。

4. 工业自动化:用于工业控制设备中的功率开关,如PLC、伺服驱动器和变频器。

5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、智能家电和高功率LED照明系统中的功率控制模块。

FQAF33N10L凭借其高性能和可靠性,在多种功率电子系统中发挥关键作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

FQAF33N10L

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1630pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

52 毫欧 @ 12.9A,10V

供应商器件封装

TO-3PF

功率-最大值

83W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

SC-94

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25.8A (Tc)

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