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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF33N10L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF33N10L价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF33N10L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQAF33N10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQAF33N10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体(ON Semiconductor)的FQAF33N10L是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场合。该器件具有低导通电阻、高电流容量和良好热性能,适用于以下主要场景: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率,降低损耗。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机及无刷电机控制电路中作为开关元件,实现高效调速与控制。 3. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)和LED照明驱动,满足汽车环境对可靠性和效率的高要求。 4. 工业自动化:用于工业控制设备中的功率开关,如PLC、伺服驱动器和变频器。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、智能家电和高功率LED照明系统中的功率控制模块。 FQAF33N10L凭借其高性能和可靠性,在多种功率电子系统中发挥关键作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF33N10L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1630pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 52 毫欧 @ 12.9A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25.8A (Tc) |