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  • 型号: NTB5605T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTB5605T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB5605T4G价格参考。ON SemiconductorNTB5605T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTB5605T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB5605T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTB5605T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电子设备和系统中。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路,用于提高电源转换效率和稳定性。

2. 电机控制:在直流电机驱动器和步进电机控制电路中作为开关元件,实现对电机转速和方向的控制。

3. 照明系统:用于LED照明驱动电路,支持高频率开关,提升调光精度和能效。

4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业电源模块中,作为高效率开关器件使用。

5. 消费电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和充电器中,用于电池管理和电源切换。

6. 汽车电子:适用于车载电源系统、车灯控制及辅助电机驱动,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。

该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适合高效率、高密度电源设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTB5605T4G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1190pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

140 毫欧 @ 8.5A,5V

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

88W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18.5A (Ta)

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