Datasheet下载- 型号： PH3855L,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH3855L,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH3855L,115价格参考。NXP SemiconductorsPH3855L,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH3855L,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH3855L,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH3855L,115 是 NXP USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET，适用于中低压功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热稳定性的特点，广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高电源转换效率和稳定性。 2. 电机控制：用于小型电机或步进电机的驱动电路中，实现快速开关控制。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源开关与能量管理模块。 4. LED照明：用于LED驱动电路中的开关元件，支持调光与高效能运作。 5. 工业自动化：在PLC、传感器模块或继电器替代方案中，作为高频开关使用。 该MOSFET采用小型封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的抗静电和热保护性能，确保在复杂环境中稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PH3855L,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 765pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 934058855115 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
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