Datasheet下载- 型号： IRF6648TR1
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6648TR1由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6648TR1价格参考。International RectifierIRF6648TR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6648TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6648TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6648TR1的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别中的单管类型。该器件广泛应用于需要高效、高频开关性能的电力电子系统中。 IRF6648TR1是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点。它常用于电源管理领域，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路以及负载开关等应用中，以提升系统的能效和稳定性。 此外，该器件也适用于电机控制、电池管理系统（BMS）、电动车充电设备及工业自动化控制系统等场景。由于其封装形式适合表面贴装工艺，因此在空间受限且对散热要求较高的现代电子产品中尤为常见。 总之，IRF6648TR1凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛服务于通信电源、服务器电源、汽车电子、可再生能源系统等多个高性能要求的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6648TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 17A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MN |
| 其它名称 | IRF6648CT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 86A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6648.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6648.spi |
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