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SIA413DJ-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA413DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA413DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA413DJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 12V 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK® SC-70-6 单。您可以下载SIA413DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA413DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA413DJ-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于各类电子设备中的电源管理和负载开关应用。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装的特点,适用于空间受限且对效率要求较高的设计。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关和电池供电设备中的负载管理,提高能效并延长电池寿命。 2. 负载开关:在便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中作为高侧或低侧开关,控制电源流向不同模块。 3. 电机控制:在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件,实现启停或调速功能。 4. 工业控制:用于工业自动化设备中的继电器替代、传感器供电控制及小型执行器驱动。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制及车载充电器等场景,具备良好的温度稳定性和耐用性。 6. 消费类电子产品:如智能穿戴设备、无线耳机、充电宝等,用于高效能、小体积的电源切换与管理。 该MOSFET采用TDFN封装,适合表面贴装,便于自动化生产,广泛应用于对空间和性能都有较高要求的现代电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?70447 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA413DJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA413DJ-T1-GE3SIA413DJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 6.7A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 其它名称 | SIA413DJ-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 19W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 29 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/SC70.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
| 系列 | SIA4xxDJ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIA413DJ-GE3 |