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Datasheet下载- 型号： DMN2005K-7
- 制造商： Diodes Inc.
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DMN2005K-7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2005K-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2005K-7价格参考。Diodes Inc.DMN2005K-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载DMN2005K-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2005K-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN2005K-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻（Rds(on)）和小封装尺寸的特点，非常适合用于需要高效能和节省空间的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： DMN2005K-7 可广泛应用于各种电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电压调节模块（VRM）等。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 便携式电子设备： 由于其小型化封装（如 SOT-363/SC-70），该器件非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他便携式电子产品中，作为负载开关或保护电路的一部分。 3. 电机驱动： 在小型直流电机控制中，DMN2005K-7 可用作开关元件，实现电机的启动、停止和速度调节功能。 4. 信号切换： 在通信和数据传输领域，该 MOSFET 可用于信号切换电路，确保高速信号的可靠传输。 5. 电池管理系统（BMS）： 在电池保护电路中，DMN2005K-7 可用作充放电控制开关，防止过流、过压或短路对电池造成损害。 6. 消费类电子产品： 包括音频设备、家用电器、照明系统等，都可以利用 DMN2005K-7 的高效能特点来优化性能并降低功耗。 总结来说，DMN2005K-7 凭借其出色的电气特性和紧凑的设计，成为许多低功率、高密度应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3MOSFET N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2005K-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2005K-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1700 mOhms at 2.7 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.7 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DMN2005K-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Ta） |
| 系列 | DMN2005K |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
