Datasheet下载- 型号： STD120N4F6
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD120N4F6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD120N4F6价格参考。STMicroelectronicsSTD120N4F6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD120N4F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD120N4F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD120N4F6是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适用于多种高效率功率转换场景。该器件广泛应用于以下领域： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于提高能效和减小系统体积。 2. 电机控制：在电动车、工业自动化、电动工具等电机驱动系统中作为功率开关，实现对电机转速与方向的高效控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制与保护电路，确保电池组安全高效运行，常见于储能系统与新能源汽车中。 4. 负载开关与热插拔控制：适用于服务器、通信设备中，作为负载开关以实现系统热插拔功能，防止电流冲击。 5. 照明系统：包括LED照明与智能照明控制，用于调光与电源调节，提高光源效率与寿命。 6. 新能源应用：如太阳能逆变器、充电桩等，承担功率转换与能量管理的关键角色。 该MOSFET具备高可靠性与良好的热稳定性，适合在高频率、高效率、高功率密度的系统中使用，是工业、消费电子及汽车电子中的常用功率器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A DPAKMOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD120N4F6DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD120N4F6 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 65 nC |
| Qg-栅极电荷 | 65 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-10781-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF250323?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/stmicroelectronics-stripfet-vi-deepgate-mosfets/3393 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | STD120N4F6 |
| 配置 | Single |
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