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  • 型号: IRFR7440TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR7440TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR7440TRPBF价格参考。International RectifierIRFR7440TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)。您可以下载IRFR7440TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR7440TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 40V 90A DPAKMOSFET 40V 90A 2.5mOhm 89nC StrongIRFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

90 A

Id-连续漏极电流

90 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR7440TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFR7440TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

Qg-GateCharge

89 nC

Qg-栅极电荷

89 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V to 3.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V to 3.9 V

上升时间

39 ns

下降时间

34 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4610pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

134nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 90A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

IRFR7440TRPBFTR

典型关闭延迟时间

51 ns

功率-最大值

140W

功率耗散

140 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

商标名

StrongIRFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

2.4 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

89 nC

标准包装

2,000

正向跨导-最小值

280 S

汲极/源极击穿电压

40 V

漏极连续电流

90 A

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

90A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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